Al/P2ClAn(C2H5(COOH))/P-Si/Al Yapılarda Akım-Voltaj ve Kapasite-Voltaj Karakteristiklerinin İncelenmesi
Tezin Türü: Yüksek Lisans
Tezin Yürütüldüğü Kurum: Süleyman Demirel Üniversitesi, Fen Bilimleri Enstitüsü, Türkiye
Tezin Onay Tarihi: 2007
Tezin Dili: Türkçe
Öğrenci: Durmuş Ali Aldemir
Asıl Danışman (Eş Danışmanlı Tezler İçin): Ali KÖKCE
Açık Arşiv Koleksiyonu: AVESİS Açık Erişim Koleksiyonu
Özet:Al/P2ClAn(C2H5(COOH)(poly(2-chloroaniline))/p-Si/Al Schottky diyodunun üretiminde [100] doğrultusunda büyütülmüs, 1 cm özdirence sahip p-Si kullanılmıstır. Akım-gerilim (I-V) ve kapasite-gerilim-frekans (C-V-f) ölçümlerinin yardımıyla, diyodun karakteristik parametreleri elde edilmistir. Bütün ölçümler oda sıcaklığında ve vakum ortamında gerçeklestirilmistir. Diyot ideal olmayan karakteristikler göstermistir. Bu durum arayüzey durumlarına ve doğal oksit tabakası ile yüksek dirençli polimerden olusan arayüzey tabakasına atfedilebilir. I-V karakteristiğinden, sıfır beslem engel yüksekliği (bp,0) 0,787 eV, idealite faktörü (n) 4,84 olarak elde edilmistir. Seri direnç (Rs) ise Cheung fonksiyonlarının yardımıyla bulunmustur. Diyodun C-V karakteristiği farklı frekanslar için incelenmistir. ?ncelenen karakteristiklerin genis frekans dağılımı gösterdiği gözlenmistir. Bu duruma sebep olarak yarıiletken ile termal dengede olan arayüzey halleri gösterilebilir. Ayrıca, Schottky diyodunun; kesisim voltajı (V0), engel yüksekliği (bp), idealite faktörü (n=1/c2), Fermi seviyesi (Ef) gibi karakteristik parametreleri farklı frekanslar için C-2-V grafiklerinden elde edilmistir. Engel yüksekliği, arayüzey hallerinin yoğunluk dağılımı tarafından etkili bir sekilde kontrol edildiği için arayüzey hallerinin yoğunluğunun ve zaman sabitinin uygulanan gerilimle değisimi, Schottky kapasite metodu (SCS) yardımıyla bulunmustur. Al/P2ClAn(C2H5(COOH)(poly(2-chloroaniline))/p-Si/Al Schottky diyodunun bulunan bütün karakteristik parametreleri gözönüne alındığında, bu diyodun MOS (Metal-Oksit- Yarıiletken) davranısı gösterdiği söylenebilir. Anahtar Kelimeler: Schottky diyot, polimer arayüzey, frekans bağlılığı, arayüzey hallerinin yoğunluğu