The Reverse Bias Current- Voltage-Temperature (I-V-T) Characteristics of the (Au/Ti)/Al2O3/n-GaAs Schottky Barrier Diodes (SBDs) in Temperature Range of 80-380K

---

GÜÇLÜ Ç. Ş., ÖZDEMİR A. F., ALDEMİR D. A.

6th Internatıonal conference on materials science and nanotechnology for next generation (MSNG2019), 16 - 18 Ekim 2019, ss.111, (Özet Bildiri)

• Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
• Sayfa Sayıları: ss.111
• Süleyman Demirel Üniversitesi Adresli: Evet