The Illumination Effects on nearly Ideal Yb/p-Si Schottky Diodes with a High Zero-Bias Barrier Height
6th Internatıonal conference on materials science and nanotechnology for next generation (MSNG2019), 16 - 18 Ekim 2019, ss.111, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Sayfa Sayıları: ss.111
- Süleyman Demirel Üniversitesi Adresli: Evet