Investigation of current-voltage-temperature characteristics in Al/p-SiSchottky diode with the polythiophene SiO2 nanocomposite interfacial layer
International Semiconductor Science and Technology Conference (ISSTC-2014), 13 - 15 Ocak 2014, ss.99, (Özet Bildiri)
- Yayın Türü: Bildiri / Özet Bildiri
- Sayfa Sayıları: ss.99
- Süleyman Demirel Üniversitesi Adresli: Evet